STMicroelectronics STHU36N Type N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 7-Pin HU3PAK STHU36N60DM6AG
- RS Stock No.:
- 234-8898
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STHU36N60DM6AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB220.84
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB236.30
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 560 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB220.84 |
| 10 - 99 | THB216.34 |
| 100 - 249 | THB211.85 |
| 250 - 499 | THB207.84 |
| 500 + | THB203.83 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 234-8898
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STHU36N60DM6AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 29A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | HU3PAK | |
| Series | STHU36N | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 99mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 210W | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 46nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 29A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type HU3PAK | ||
Series STHU36N | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 99mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 210W | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 46nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The STMicroelectronics high-voltage N-channel power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
AEC-Q101 qualified
Fast-recovery body diode
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate charge, input capacitance and resistance
100% avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STHU36N Type N-Channel MOSFET 600 V, 7-Pin HU3PAK STHU36N60DM6AG
- STMicroelectronics STHU47 Type N-Channel MOSFET 600 V, 7-Pin HU3PAK STHU47N60DM6AG
- STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET 750 V, 7-Pin HU3PAK SCT060HU75G3AG
- STMicroelectronics N-Channel STHU60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK
- STMicroelectronics N-Channel STHU60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK STHU60N046DM9AG
- STMicroelectronics N-Channel STHU65 Type N-Channel MOSFET 650 V N, 7-Pin HU3PAK
- STMicroelectronics STH Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel Power MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK