STMicroelectronics Silicon N-Channel MOSFET, 60 A, 1200 V, 7-Pin H2PAK-7 SCTH60N120G2-7

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
233-0470
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCTH60N120G2-7
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Package Type

H2PAK-7

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance

0.052 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very fast and robust intrinsic body diode.
Extremely low gate charge and input capacitance
Source sensing pin for increased efficiency

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง