STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 60 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCTH60N120G2-7

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
233-0470
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCTH60N120G2-7
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

H2PAK-7

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.052Ω

Channel Mode

Enhancement

The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very fast and robust intrinsic body diode.

Extremely low gate charge and input capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง