STMicroelectronics SCT025H120G3AG N-Channel MOSFET, 55 A, 1.2 kV Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT025H120G3AG

RS Stock No.:: 214-952
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SCT025H120G3AG
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics SCT025H120G3AG N-Channel MOSFET, 55 A, 1.2 kV Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT025H120G3AG

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 10 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB1,321.10

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB1,320.15

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,412.56

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 19 กรกฎาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	การประหยัด
1 - 9	THB1,320.15	-
10 - 99	THB1,188.04	THB1,321.10
100 +	THB1,095.51	THB22,464.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 214-952
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SCT025H120G3AG
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1.2kV
	Series	SCT025H120G3AG
	Package Type	H2PAK-7
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	27mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	73nC
	Forward Voltage Vf	2.7V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	22V
	Maximum Power Dissipation Pd	375W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	10.4mm
	Standards/Approvals	AEC-Q101, RoHS
	Length	15.25mm
	Height	4.8mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV
	Series SCT025H120G3AG
	Package Type H2PAK-7
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 27mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 73nC
	Forward Voltage Vf 2.7V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V
	Maximum Power Dissipation Pd 375W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 10.4mm
	Standards/Approvals AEC-Q101, RoHS
	Length 15.25mm
	Height 4.8mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - SCT025H120G3AG

The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

STMicroelectronics SCT025H120G3AG N-Channel MOSFET, 55 A, 1.2 kV Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT025H120G3AG

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง