STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET, 30 A, 1.2 kV Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT070H120G3AG
- RS Stock No.:
- 482-977
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT070H120G3AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก
เพิ่มอีก 5 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB87.25
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB586.28
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB627.32
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 998 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | การประหยัด |
|---|---|---|
| 1 - 4 | THB586.28 | - |
| 5 + | THB568.83 | THB87.25 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 482-977
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT070H120G3AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1.2kV | |
| Package Type | H2PAK-7 | |
| Series | SCT | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 7 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Width | 24.3mm | |
| Height | 10.4mm | |
| Length | 15.25mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV | ||
Package Type H2PAK-7 | ||
Series SCT | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 7 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Width 24.3mm | ||
Height 10.4mm | ||
Length 15.25mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- IT
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
AEC-Q101 qualified
Very low RDS(on) over the entire temperature range
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
Source sensing pin for increased efficiency
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT070H120G3-7
- STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT027H65G3AG
- STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT018H65G3AG
- STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET 900 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT012H90G3AG
- STMicroelectronics Sct N-Channel Power MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT018H65G3-7
- STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT040H120G3AG
- STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET Modules 1200 V Depletion, 7-Pin H2PAK-7 SCTH40N120G2V7AG
- STMicroelectronics N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCTH60N120G2-7