STMicroelectronics SCT025H120G3AG SiC N-Channel MOSFET, 55 A, 1200 V, 7-Pin H2PAK-7 SCT025H120G3AG

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
RS Stock No.:
214-951
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCT025H120G3AG
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

55 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Series

SCT025H120G3AG

Package Type

H2PAK-7

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

7

Channel Mode

Enhancement

Transistor Material

SiC

Number of Elements per Chip

1

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง