STMicroelectronics SCT025H120G3AG Type N, Type N-Channel MOSFET, 55 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT025H120G3AG
- RS Stock No.:
- 214-951
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT025H120G3AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB959,082.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,026,218.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 + | THB959.082 | THB959,082.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-951
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT025H120G3AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N, Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 55A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | H2PAK-7 | |
| Series | SCT025H120G3AG | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 27mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 73nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Forward Voltage Vf | 2.7V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 4.8mm | |
| Length | 15.25mm | |
| Width | 10.4mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101, RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N, Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 55A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type H2PAK-7 | ||
Series SCT025H120G3AG | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 27mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 73nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Forward Voltage Vf 2.7V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 4.8mm | ||
Length 15.25mm | ||
Width 10.4mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101, RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode