onsemi UniFET II N-Channel MOSFET, 2 A, 500 V N, 3-Pin SOT-223 FDT4N50NZU
- RS Stock No.:
- 229-6326
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDT4N50NZU
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*
THB86,588.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB92,648.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 05 กรกฎาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 4000 - 8000 | THB21.647 | THB86,588.00 |
| 12000 - 16000 | THB21.106 | THB84,424.00 |
| 20000 + | THB20.578 | THB82,312.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 229-6326
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDT4N50NZU
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Series | UniFET II | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3Ω | |
| Channel Mode | N | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 9.1nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 3.7mm | |
| Height | 1.7mm | |
| Length | 6.7mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Series UniFET II | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3Ω | ||
Channel Mode N | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9.1nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 3.7mm | ||
Height 1.7mm | ||
Length 6.7mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor UniFET II high voltage MOSFET based on advanced planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET has the smallest on state resistance among the planar MOSFET, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction, flat panel display, TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Ultra low gate charge
100% avalanche tested
Pb−free
Halogen free
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi UniFET II N-Channel MOSFET 500 V N, 3-Pin SOT-223 FDT4N50NZU
- onsemi FDV3 N-Channel Single MOSFETs 25 V N, 3-Pin SOT-23-3 FDV301N
- ROHM RK7 N-Channel MOSFET 60 V N, 3-Pin SOT-23 RK7002BMHZGT116
- onsemi UniFET N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi UniFET N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDV303N
- onsemi UniFET N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220F FDPF20N50FT
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN95R2K0P7ATMA1
- STMicroelectronics STN6N60M2 N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 STN6N60M2