Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN95R2K0P7ATMA1
- RS Stock No.:
- 215-2534
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPN95R2K0P7ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB499.90
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB534.90
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 300 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 6,720 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 20 - 740 | THB24.995 | THB499.90 |
| 760 - 1480 | THB24.37 | THB487.40 |
| 1500 + | THB23.995 | THB479.90 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 215-2534
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPN95R2K0P7ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Series | CoolMOS | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 7W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Series CoolMOS | ||
Package Type SOT-223 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 7W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 950V Cool MOS™ P7 series designed to meet the growing consumer needs in the high voltage MOSFETs arena, the latest 950V Cool MOS™ P7 technology focuses on the low-power SMPS market. Offering 50V more blocking voltage than its predecessor 900V Cool MOS™ C3, the 950V Cool MOS™ P7 series delivers outstanding performance in terms of efficiency, thermal behaviour and ease-of-use. As the all other P7 family members, the 950V Cool MOS™ P7 series comes with an integrated Zener diode ESD protection. The integrated diode considerably improves ESD robustness, thus reducing ESD-related yield loss and reaching exceptional ease-of-use levels. Cool MOS™ P7 is developed with best-in-class VGS(the) of 3V and a narrow tolerance of only ± 0.5V, which makes it easy to drive and design-in.
Best-in-class FOMRDS(on)*Eoss; reduced Qg, Ciss, and Coss
Best-in-class SOT-223 RDS(on)
Best-in-class Cool MOS™ quality and reliability
Fully optimized portfolio
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon 800V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon 800V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN80R1K4P7ATMA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN80R2K4P7ATMA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN80R3K3P7ATMA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
