onsemi FDV3 N-Channel Single MOSFETs, 0.22 A, 25 V N, 3-Pin SOT-23-3 FDV301N

RS Stock No.:: 765-307
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDV301N
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi FDV3 N-Channel Single MOSFETs, 0.22 A, 25 V N, 3-Pin SOT-23-3 FDV301N

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 100 ชิ้น)*

THB216.20

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB231.30

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 1,500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 12 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
100 - 900	THB2.162	THB216.20
1000 - 4900	THB1.901	THB190.10
5000 - 9900	THB1.706	THB170.60
10000 +	THB1.468	THB146.80

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 765-307
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDV301N
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	Single MOSFETs
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	0.22A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	25V
	Package Type	SOT-23-3
	Series	FDV3
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	9Ω
	Channel Mode	N
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	0.35W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	0.49nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	1.3mm
	Height	1mm
	Length	2.9mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type Single MOSFETs
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 0.22A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 25V
	Package Type SOT-23-3
	Series FDV3
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 9Ω
	Channel Mode N
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 0.35W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.49nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 1.3mm
	Height 1mm
	Length 2.9mm
	Automotive Standard No

Datasheet - FDV301N

The onsemi N-Channel logic level enhancement mode field effect transistor designed for low voltage applications. This Advanced device leverages proprietary G S DMOS technology to achieve minimal on-state resistance, making it an Ideal choice for replacing several digital transistors. Its eliminates the need for bias resistors, streamlining circuit design by offering a single FET solution for various digital applications, ultimately enhancing efficiency and reliability in electronic devices.

Supports a continuous drain current of 0.22 A with a Peak of 0.5 A

Features a low R DS(on) of just 4 Ohms at 4.5 V, ensuring efficient power handling

Designed for direct operation in 3 V circuits, allowing seamless integration in low-voltage systems

Capable of replacing multiple NPN digital transistors, simplifying component count in designs

Complies with Pb-Free and Halide-Free standards, supporting environmentally conscious designs

Thermal resistance of 357 °C/W ensures reliable performance under varying temperature conditions

Maximum drain-source voltage rating of 25 V offers robust functionality across diverse applications

Gate threshold voltage range ensures consistent performance across the operating spectrum

onsemi FDV3 N-Channel Single MOSFETs, 0.22 A, 25 V N, 3-Pin SOT-23-3 FDV301N

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง