onsemi FDV3 Type N-Channel Single MOSFETs, 0.22 A, 25 V N, 3-Pin SOT-23-3 FDV301N

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 100 ชิ้น)*

THB216.20

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB231.30

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 13 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
100 - 900THB2.162THB216.20
1000 - 4900THB1.901THB190.10
5000 - 9900THB1.706THB170.60
10000 +THB1.468THB146.80

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
765-307
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FDV301N
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

0.22A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Package Type

SOT-23-3

Series

FDV3

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

N

Maximum Power Dissipation Pd

0.35W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.49nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.3mm

Height

1mm

Length

2.9mm

Automotive Standard

No

The onsemi N-Channel logic level enhancement mode field effect transistor designed for low voltage applications. This Advanced device leverages proprietary G S DMOS technology to achieve minimal on-state resistance, making it an Ideal choice for replacing several digital transistors. Its eliminates the need for bias resistors, streamlining circuit design by offering a single FET solution for various digital applications, ultimately enhancing efficiency and reliability in electronic devices.

Supports a continuous drain current of 0.22 A with a Peak of 0.5 A

Features a low R DS(on) of just 4 Ohms at 4.5 V, ensuring efficient power handling

Designed for direct operation in 3 V circuits, allowing seamless integration in low-voltage systems

Capable of replacing multiple NPN digital transistors, simplifying component count in designs

Complies with Pb-Free and Halide-Free standards, supporting environmentally conscious designs

Thermal resistance of 357 °C/W ensures reliable performance under varying temperature conditions

Maximum drain-source voltage rating of 25 V offers robust functionality across diverse applications

Gate threshold voltage range ensures consistent performance across the operating spectrum

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง