onsemi UniFET II N-Channel MOSFET, 2 A, 500 V N, 3-Pin SOT-223 FDT4N50NZU

RS Stock No.:: 229-6327
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDT4N50NZU
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi UniFET II N-Channel MOSFET, 2 A, 500 V N, 3-Pin SOT-223 FDT4N50NZU

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB355.90

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB380.80

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 10	THB35.59	THB355.90
20 - 90	THB34.524	THB345.24
100 - 240	THB33.456	THB334.56
250 - 490	THB32.745	THB327.45
500 +	THB32.034	THB320.34

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 229-6327
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDT4N50NZU
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	500V
	Package Type	SOT-223
	Series	UniFET II
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3Ω
	Channel Mode	N
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	9.1nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25V
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	3.7mm
	Height	1.7mm
	Length	6.7mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 500V
	Package Type SOT-223
	Series UniFET II
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3Ω
	Channel Mode N
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9.1nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 3.7mm
	Height 1.7mm
	Length 6.7mm
	Automotive Standard No

Datasheet - FDT4N50NZU

The ON Semiconductor UniFET II high voltage MOSFET based on advanced planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET has the smallest on state resistance among the planar MOSFET, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction, flat panel display, TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

Ultra low gate charge

100% avalanche tested

Pb−free

Halogen free

RoHS compliant

onsemi UniFET II N-Channel MOSFET, 2 A, 500 V N, 3-Pin SOT-223 FDT4N50NZU

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง