Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 50 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50N08S413ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 15 ชิ้น)*

THB517.665

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB553.905

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 9,900 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
15 - 15THB34.511THB517.67
30 - 75THB32.786THB491.79
90 - 225THB31.147THB467.21
240 - 465THB29.59THB443.85
480 +THB28.111THB421.67

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
229-1833
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPD50N08S413ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

IPD

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

13.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

72W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

6.5mm

Height

2.3mm

Width

6.22 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon n channel MOSFET has 175°C operating temperature and 100 percent avalanche tested.

It is RoHS compliant and AEC Q101 qualified

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง