Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 258-3848
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD60N10S412ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB68,852.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB73,672.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB27.541 | THB68,852.50 |
| 5000 - 5000 | THB24.787 | THB61,967.50 |
| 7500 + | THB22.308 | THB55,770.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3848
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD60N10S412ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | IPD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 12.2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 94W | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 26nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series IPD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 12.2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 94W | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 26nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS-T2 power-transistor is P-channel normal level enhancement mode. It has 175°C operating temperature.
AEC qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60N10S412ATMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD048N06L3GATMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD038N06NF2SATMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD028N06NF2SATMA1