Infineon IPD N-Channel MOSFET, 13 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R360P7ATMA1
- RS Stock No.:
- 217-2533
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD80R360P7ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 5000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 3%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB105,285.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB112,655.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB42.114 | THB105,285.00 | - |
| 5000 - 7500 | THB40.85 | THB102,125.00 | 3% |
| 10000 + | THB39.625 | THB99,062.50 | 5% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 217-2533
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD80R360P7ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 13A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Series | IPD | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 360mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 42W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 2.41mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 6.22mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 13A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Series IPD | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 360mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 42W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 2.41mm | ||
Length 6.73mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 6.22mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPD N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R360P7ATMA1
- Infineon IPD N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R2K7C3AATMA1
- Infineon IPD N-Channel MOSFET, 13 A P TO-252 IPD78CN10NGATMA1
- Infineon IPD N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R400CEAUMA1
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA80R360P7XKSA1
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP80R360P7XKSA1
- Infineon IPD N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-252 IPD35N12S3L24ATMA1
