Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 80 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N03S4L03ATMA1
- RS Stock No.:
- 249-6911
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD90N03S4L03ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB62.45
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB66.822
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,470 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB31.225 | THB62.45 |
| 10 - 98 | THB30.29 | THB60.58 |
| 100 - 248 | THB29.08 | THB58.16 |
| 250 - 498 | THB27.625 | THB55.25 |
| 500 + | THB25.965 | THB51.93 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 249-6911
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD90N03S4L03ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | IPD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series IPD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS is power MOSFET for automotive applications. Operating channel is N. It is AEC Q101 qualified. MSL1 up to 260°C peak reflow. Green Product (RoHS compliant) and it is 100% Avalanche tested.
175°C operating temperature
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50N08S413ATMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252