Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD079N06L3GATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB46,277.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB49,517.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2500 +THB18.511THB46,277.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
273-3003
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPD079N06L3GATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

IPD

Package Type

TO-252

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

50nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

6.223mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

10.48mm

Width

6.731 mm

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications

Highest system efficiency

Less paralleling required

Increased power density

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง