Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 67.4 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SiSH536DN-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
228-2928
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiSH536DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Series

TrenchFET

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current (Id)

67.4 A

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

30 V

Channel Mode

Enhancement

Pin Count

8

Package Type

PowerPAK 1212-8SH

Automotive Standard

No

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

3.25 mΩ

Maximum Gate Source Voltage (Vgs)

16 V

Maximum Operating Temperature

150 °C

Maximum Power Dissipation (Pd)

26.5 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Mount Type

Surface

Standards/Approvals

No

Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs

16.6 nC

The Vishay N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง