Vishay SiSHA04DN N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SISHA04DN-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
188-4896
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SISHA04DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SiSHA04DN

Package Type

PowerPAK 1212-8SH

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00215Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22.5nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-16V, +20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

3.3mm

Width

3.3mm

Height

930μm

Automotive Standard

No

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET ® Gen IV power MOSFET

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง