Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 77.4 A, 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB130,998.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB140,169.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 +THB43.666THB130,998.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
228-2905
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiR570DP-T1-RE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

77.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46.9nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-channel is 150 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง