Vishay E Type N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD11N80AE-GE3
- RS Stock No.:
- 210-4979
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHD11N80AE-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB387.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB414.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,980 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 745 | THB77.50 | THB387.50 |
| 750 - 1495 | THB75.562 | THB377.81 |
| 1500 + | THB74.398 | THB371.99 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 210-4979
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHD11N80AE-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Series | E | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 391mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 78W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 28nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 2.2mm | |
| Length | 9.4mm | |
| Width | 6.4 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Series E | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 391mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 78W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 2.2mm | ||
Length 9.4mm | ||
Width 6.4 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay E Series Power MOSFET has DPAK (TO-252) package type with single configuration.
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Ciss)
Reduced switching and conduction losses
Ultra low gate charge (Qg)
Avalanche energy rated (UIS)
Integrated Zener diode ESD protection
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD11N80AE-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB11N80AE-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG11N80AE-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin IPAK