Vishay E Type N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB11N80AE-GE3

RS Stock No.:: 210-4967
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHB11N80AE-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB11N80AE-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB321.16

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB343.64

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

1,990 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 10	THB64.232	THB321.16
15 - 20	THB62.626	THB313.13
25 +	THB61.662	THB308.31

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Series	E
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	391mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	42nC
	Maximum Power Dissipation Pd	78W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	14.61mm
	Standards/Approvals	No
	Width	9.65 mm
	Height	4.06mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Series E
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 391mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC
	Maximum Power Dissipation Pd 78W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 14.61mm
	Standards/Approvals No
	Width 9.65 mm
	Height 4.06mm
	Automotive Standard No

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB11N80AE-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง