Vishay E Type N-Channel MOSFET, 25 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB120N60E-T5-GE3

RS Stock No.:: 228-2845
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHB120N60E-T5-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 25 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB120N60E-T5-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB315.88

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB338.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

792 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 8	THB157.94	THB315.88
10 - 48	THB153.99	THB307.98
50 - 98	THB150.14	THB300.28
100 - 248	THB146.39	THB292.78
250 +	THB142.73	THB285.46

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	25A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	E
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	120mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Maximum Power Dissipation Pd	179W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	30nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 25A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series E
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 120mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Maximum Power Dissipation Pd 179W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 30nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 25 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB120N60E-T5-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง