Vishay E Type N-Channel MOSFET, 47 A, 600 V, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 225-9909
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHB053N60E-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB8,234.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB8,811.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 700 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 100 | THB164.692 | THB8,234.60 |
| 150 - 200 | THB159.751 | THB7,987.55 |
| 250 + | THB154.959 | THB7,747.95 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 225-9909
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHB053N60E-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 47A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | E | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 54mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 278W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 92nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 9.65 mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Height | 15.88mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 47A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series E | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 54mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 278W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 92nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 9.65 mm | ||
Length 10.67mm | ||
Height 15.88mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.
4th generation E series technology
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Co(er))
Reduced switching and conduction losses
Avalanche energy rated (UIS)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-263 SIHB053N60E-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG47N60E-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SQW44N65EF-GE3
- Vishay Single E Type N-Channel MOSFET 650 V TO-247AC
- Vishay Single E Type N-Channel MOSFET 650 V TO-247AC SIHG47N65E-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263