Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel Power Transistor, 20 A, 55 V Enhancement, 8-Pin TDSON

RS Stock No.:: 223-8519
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPG20N06S2L65AATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel Power Transistor, 20 A, 55 V Enhancement, 8-Pin TDSON

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB77,160.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB82,560.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 15,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 09 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
5000 - 5000	THB15.432	THB77,160.00
10000 - 10000	THB15.036	THB75,180.00
15000 +	THB14.846	THB74,230.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 223-8519
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPG20N06S2L65AATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	Power Transistor
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Package Type	TDSON
	Series	OptiMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	65mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	43W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	9.4nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Transistor Configuration	Dual
	Standards/Approvals	RoHS
	Width	5.9 mm
	Length	5.15mm
	Height	1mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type Power Transistor
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Package Type TDSON
	Series OptiMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 65mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 43W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9.4nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Transistor Configuration Dual
	Standards/Approvals RoHS
	Width 5.9 mm
	Length 5.15mm
	Height 1mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPG20N06S2L65AATMA1

The Infineon OptiMOS series dual N-channel MOSFET has drain to source voltage of 55 V. It has benefits of larger source lead frame connection for wire bonding and bond wire is 200um for up to 20A current.

Automotive AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Green package

Ultra low Rds

100% Avalanche tested

Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel Power Transistor, 20 A, 55 V Enhancement, 8-Pin TDSON

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง