Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel Power Transistor, 20 A, 55 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- RS Stock No.:
- 223-8519
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPG20N06S2L65AATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB80,595.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB86,235.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 15,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 13 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB16.119 | THB80,595.00 |
| 10000 - 10000 | THB15.706 | THB78,530.00 |
| 15000 + | THB15.507 | THB77,535.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 223-8519
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPG20N06S2L65AATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | Power Transistor | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Package Type | TDSON | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 65mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 9.4nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 43W | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Height | 1mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 5.15mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type Power Transistor | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Package Type TDSON | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 65mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9.4nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 43W | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Height 1mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 5.15mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS series dual N-channel MOSFET has drain to source voltage of 55 V. It has benefits of larger source lead frame connection for wire bonding and bond wire is 200um for up to 20A current.
Automotive AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green package
Ultra low Rds
100% Avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel Power Transistor 55 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N06S2L65AATMA1
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N10S4L35ATMA1
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N04S4L07AATMA1
- Infineon Dual OptiMOS-T2 2 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual OptiMOS-T2 2 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N10S436AATMA1
- Infineon Dual OptiMOS-T2 2 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON