Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET, 40 A, 25 V Enhancement, 8-Pin TISON-8 BSC0910NDIATMA1

RS Stock No.:: 214-8977
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC0910NDIATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET, 40 A, 25 V Enhancement, 8-Pin TISON-8 BSC0910NDIATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB507.79

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB543.34

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

4,960 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 1240	THB50.779	THB507.79
1250 - 2490	THB49.51	THB495.10
2500 +	THB48.748	THB487.48

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 214-8977
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC0910NDIATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	25V
	Series	OptiMOS
	Package Type	TISON-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5.9mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.87V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	23nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	10 V
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Dual
	Length	5mm
	Standards/Approvals	RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1
	Height	1.1mm
	Width	6 mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 25V
	Series OptiMOS
	Package Type TISON-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5.9mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.87V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 10 V
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Dual
	Length 5mm
	Standards/Approvals RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1
	Height 1.1mm
	Width 6 mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Datasheet - BSC0910NDIATMA1

The Infineon range of OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications. The Dual N-channel OptiMOS MOSFETs, comes Halogen-free according to IEC61249-2-21 and Pb-free lead plating; RoHS compliant.

Monolithic integrated Schottky-like diode

Optimized for high performance buck converters

100% avalanche tested

Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET, 40 A, 25 V Enhancement, 8-Pin TISON-8 BSC0910NDIATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง