Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET, 40 A, 25 V Enhancement, 8-Pin TISON-8 BSC0910NDIATMA1
- RS Stock No.:
- 214-8977
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC0910NDIATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB507.79
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB543.34
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 4,960 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 1240 | THB50.779 | THB507.79 |
| 1250 - 2490 | THB49.51 | THB495.10 |
| 2500 + | THB48.748 | THB487.48 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-8977
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC0910NDIATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 25V | |
| Package Type | TISON-8 | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 23nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.87V | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 5mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Standards/Approvals | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 25V | ||
Package Type TISON-8 | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC | ||
Forward Voltage Vf 0.87V | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 5mm | ||
Height 1.1mm | ||
Standards/Approvals RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon range of OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications. The Dual N-channel OptiMOS MOSFETs, comes Halogen-free according to IEC61249-2-21 and Pb-free lead plating; RoHS compliant.
Monolithic integrated Schottky-like diode
Optimized for high performance buck converters
100% avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin TISON-8
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 8-Pin DSO
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET Arrays 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel Power Transistor 55 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET & Diode 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N10S4L35ATMA1