Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 31 A, 55 V, 3-Pin TO-252 AUIRFR5305TRL
- RS Stock No.:
- 223-8457
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRFR5305TRL
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB397.92
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB425.775
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 11,615 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | THB79.584 | THB397.92 |
| 10 - 95 | THB77.594 | THB387.97 |
| 100 - 245 | THB75.654 | THB378.27 |
| 250 - 495 | THB73.762 | THB368.81 |
| 500 + | THB71.918 | THB359.59 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 223-8457
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRFR5305TRL
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 31A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 65mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 110W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 63nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | -1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 31A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 65mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 110W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 63nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf -1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon automotive qualified single P-channel HEXFET power MOSFET in a D2-pak package. The cellular design of power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. It is used in automotive and wide variety of applications because of fast switching speed and ruggedized device.
Advanced planar technology
Dynamic dV/dT rating
175°C operating temperature
Fast switching
Lead free
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR5305TRPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF5305PBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF5305STRLPBF