Infineon IPD50R Type N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB452,979.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB484,689.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 - 3000THB150.993THB452,979.00
6000 - 6000THB145.186THB435,558.00
9000 +THB143.348THB430,044.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
222-4908
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPL60R065C7AUMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

29A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

ThinPAK

Series

IPD50R

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

65mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

68nC

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

180W

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

8.1 mm

Height

1.1mm

Length

8.1mm

Automotive Standard

No

The Infineon 600V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) MOSFET series offers a ∼50% reduction in turn-off losses (E oss ) compared to the CoolMOS™ CP, offering an outstanding level of performance in PFC, TTF and other hard-switching topologies. The IPL60R185C7 is also a perfect match for high-power-density charger designs.

Reduced switching loss parameters such as Q G, C oss, E oss

Best-in-class figure of merit Q G*R DS(on)

Increased switching frequency

Best R (on)*A in the world

Rugged body diode

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง