Infineon IPD50R Type N-Channel MOSFET, 40 A, 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL60R060CFD7AUMA1
- RS Stock No.:
- 222-4907
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPL60R060CFD7AUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB489.52
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB523.78
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 29 เมษายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB244.76 | THB489.52 |
| 10 - 98 | THB238.64 | THB477.28 |
| 100 - 248 | THB232.67 | THB465.34 |
| 250 - 498 | THB226.85 | THB453.70 |
| 500 + | THB221.18 | THB442.36 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4907
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPL60R060CFD7AUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | IPD50R | |
| Package Type | ThinPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 60mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 79nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 219W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 8.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series IPD50R | ||
Package Type ThinPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 79nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 219W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 8.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 is Infineon’s latest high voltage superjunction MOSFET technology with integrated fast body diode, completing the CoolMOS™ 7 series. CoolMOS™ CFD7 comes with reduced gate charge (Qg), improved turn-off behaviour and a reverse recovery charge (Qrr) of up to 69% lower compared to the competition, as well as the lowest reverse recovery time (trr) in the market.
Best-in-class hard commutation ruggedness
Highest reliability for resonant topologies
Highest efficiency with outstanding ease-of-use/performance trade-off
Enabling increased power density solutions
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPD50R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK
- Infineon IPD50R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK
- Infineon IPD50R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL60R065C7AUMA1
- Infineon IPD50R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD50R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 10-Pin TO-252
- Infineon IPD50R Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD50R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R180C7ATMA1
- Infineon IPD50R Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50R800CEAUMA1