Infineon IPD50R Type N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL60R065C7AUMA1

RS Stock No.:: 222-4909
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPL60R065C7AUMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPD50R Type N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL60R065C7AUMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB381.91

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB408.644

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 8	THB190.955	THB381.91
10 - 98	THB186.18	THB372.36
100 - 248	THB181.53	THB363.06
250 - 498	THB176.99	THB353.98
500 +	THB172.56	THB345.12

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 222-4909
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPL60R065C7AUMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	29A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	IPD50R
	Package Type	ThinPAK
	Mount Type	Surface
	Pin Count	5
	Maximum Drain Source Resistance Rds	65mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	68nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	180W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	8.1mm
	Height	1.1mm
	Width	8.1 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 29A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series IPD50R
	Package Type ThinPAK
	Mount Type Surface
	Pin Count 5
	Maximum Drain Source Resistance Rds 65mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 68nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 180W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 8.1mm
	Height 1.1mm
	Width 8.1 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPL60R065C7AUMA1

The Infineon 600V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) MOSFET series offers a ∼50% reduction in turn-off losses (E oss ) compared to the CoolMOS™ CP, offering an outstanding level of performance in PFC, TTF and other hard-switching topologies. The IPL60R185C7 is also a perfect match for high-power-density charger designs.

Reduced switching loss parameters such as Q G, C oss, E oss

Best-in-class figure of merit Q G*R DS(on)

Increased switching frequency

Best R (on)*A in the world

Rugged body diode

Infineon IPD50R Type N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL60R065C7AUMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง