Infineon IPL60R Type N-Channel MOSFET, 28 A, 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK
- RS Stock No.:
- 222-4917
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPL65R070C7AUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB454,587.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB486,408.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB151.529 | THB454,587.00 |
| 6000 - 6000 | THB145.701 | THB437,103.00 |
| 9000 + | THB143.857 | THB431,571.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4917
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPL65R070C7AUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 28A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | IPL60R | |
| Package Type | ThinPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 70mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 169W | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 64nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 8.1 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 8.1mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 28A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series IPL60R | ||
Package Type ThinPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 70mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 169W | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 64nC | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 8.1 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 8.1mm | ||
Height 1.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds' lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.
Revolutionary best-in-class R DS(on)/package
Reduced energy stored in output capacitance (Eoss)
Lower gate charge Qg
Space saving through use of smaller packages or reduction of parts
12 years manufacturing experience in superjunction technology
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPL60R Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL65R070C7AUMA1
- Infineon IPL60R Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK
- Infineon IPL60R Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL65R195C7AUMA1
- Infineon IPL60R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK
- Infineon IPL60R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK
- Infineon IPL60R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK
- Infineon IPL60R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL60R075CFD7AUMA1
- Infineon IPL60R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL60R185P7AUMA1