Infineon 600V CoolMOS CFD7 N-Channel MOSFET, 14 A, 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL60R185CFD7AUMA1

RS Stock No.:: 215-2521
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPL60R185CFD7AUMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon 600V CoolMOS CFD7 N-Channel MOSFET, 14 A, 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL60R185CFD7AUMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 6000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB8,796.00

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB146,622.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB156,885.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*	การประหยัด
3000 - 3000	THB48.874	THB146,622.00	-
6000 - 9000	THB47.408	THB142,224.00	THB8,796.00
12000 +	THB45.986	THB137,958.00	THB34,656.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 215-2521
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPL60R185CFD7AUMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	14A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	600V CoolMOS CFD7
	Package Type	ThinPAK
	Mount Type	Surface
	Pin Count	5
	Maximum Drain Source Resistance Rds	185mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	28nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	85W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	8.1mm
	Height	8.1mm
	Standards/Approvals	No
	Width	1.1mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 14A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series 600V CoolMOS CFD7
	Package Type ThinPAK
	Mount Type Surface
	Pin Count 5
	Maximum Drain Source Resistance Rds 185mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 85W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 8.1mm
	Height 8.1mm
	Standards/Approvals No
	Width 1.1mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPL60R185CFD7AUMA1

The Infineon 600V Cool MOS™ CFD7 is latest high voltage super junction MOSFET technology with integrated fast body diode, completing the Cool MOS™ 7 series. Cool MOS™ CFD7 comes with reduced gate charge (Qg), improved turn-off behaviour and a reverse recovery charge (Qrr) of up to 69% lower compared to the competition, as well as the lowest reverse recovery time (trr) in the market.

Ultra-fast body diode

Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)

Improved reverse diode dv/dt and dif/dt ruggedness

Lowest FOM RDS(on) x Qg and Eoss

Best-in-class RDS(on)/package combinations

Infineon 600V CoolMOS CFD7 N-Channel MOSFET, 14 A, 650 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL60R185CFD7AUMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง