Infineon 600V CoolMOS CFD7 N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL60R285P7AUMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 6000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB6,720.00

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB111,978.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB119,817.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 20 สิงหาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
การประหยัด
3000 - 3000THB37.326THB111,978.00-
6000 - 9000THB36.206THB108,618.00THB6,720.00
12000 +THB35.12THB105,360.00THB26,472.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
215-2523
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPL60R285P7AUMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

13A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

ThinPAK

Series

600V CoolMOS CFD7

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

285mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

59W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

18nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

900mV

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

8.1mm

Length

8.1mm

Width

1.1mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon 600V Cool MOS™ P7 is the successor to the 600V Cool MOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency. It combines the benefits of a fast switching SJ MOSFET with excellent ease of use, e.g. very low ringing tendency, outstanding robustness of body diode against hard commutation and excellent ESD capability. Furthermore, extremely low switching and conduction losses make switching application seven more efficient, more compact and much cooler.

Suitable for hard and soft switching (PFC and LLC) due to an outstanding  commutation ruggedness

Excellent ESD robustness >2kV(HBM) for all products

Significant reduction of switching and conduction losses

Wide portfolio in through hole and surface mount packages

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง