Infineon 600V CoolMOS CFD7 Type N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK

RS Stock No.:: 215-2523
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPL60R285P7AUMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon 600V CoolMOS CFD7 Type N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB111,978.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB119,817.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB37.326	THB111,978.00
6000 - 9000	THB36.206	THB108,618.00
12000 +	THB35.12	THB105,360.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 215-2523
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPL60R285P7AUMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	600V CoolMOS CFD7
	Package Type	ThinPAK
	Mount Type	Surface
	Pin Count	5
	Maximum Drain Source Resistance Rds	285mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	59W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	18nC
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	1.1 mm
	Length	8.1mm
	Height	8.1mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series 600V CoolMOS CFD7
	Package Type ThinPAK
	Mount Type Surface
	Pin Count 5
	Maximum Drain Source Resistance Rds 285mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 59W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18nC
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 1.1 mm
	Length 8.1mm
	Height 8.1mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPL60R285P7AUMA1

The Infineon 600V Cool MOS™ P7 is the successor to the 600V Cool MOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency. It combines the benefits of a fast switching SJ MOSFET with excellent ease of use, e.g. very low ringing tendency, outstanding robustness of body diode against hard commutation and excellent ESD capability. Furthermore, extremely low switching and conduction losses make switching application seven more efficient, more compact and much cooler.

Suitable for hard and soft switching (PFC and LLC) due to an outstanding  commutation ruggedness

Excellent ESD robustness >2kV(HBM) for all products

Significant reduction of switching and conduction losses

Wide portfolio in through hole and surface mount packages

Infineon 600V CoolMOS CFD7 Type N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง