Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 30 A, 80 V Enhancement, 4-Pin PQFN IRFH8311TRPBF

RS Stock No.:: 222-4747
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFH8311TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 30 A, 80 V Enhancement, 4-Pin PQFN IRFH8311TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 15 ชิ้น)*

THB487.44

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB521.565

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

1,425 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
15 - 15	THB32.496	THB487.44
30 - 75	THB31.683	THB475.25
90 - 225	THB30.891	THB463.37
240 - 465	THB30.119	THB451.79
480 +	THB29.366	THB440.49

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 222-4747
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFH8311TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Series	HEXFET
	Package Type	PQFN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.1mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	30nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	96W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Width	6.15 mm
	Height	1.17mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Series HEXFET
	Package Type PQFN
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.1mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 30nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 96W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5mm
	Standards/Approvals RoHS
	Width 6.15 mm
	Height 1.17mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFH8311TRPBF

The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Low RDSon (<1.15 mΩ)

Low Thermal Resistance to PCB (<0.8°C/W)

100% Rg tested

Low Profile (<0.9 mm)

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 30 A, 80 V Enhancement, 4-Pin PQFN IRFH8311TRPBF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง