Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V Enhancement, 4-Pin PQFN IRFH5250TRPBF

RS Stock No.:: 222-4745
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFH5250TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V Enhancement, 4-Pin PQFN IRFH5250TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB484.42

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB518.33

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

16,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 10	THB48.442	THB484.42
20 - 90	THB47.232	THB472.32
100 - 240	THB46.051	THB460.51
250 - 490	THB44.90	THB449.00
500 +	THB43.778	THB437.78

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 222-4745
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFH5250TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	25V
	Package Type	PQFN
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.15mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	3.6W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	52nC
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6mm
	Height	0.9mm
	Width	4.75 mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 25V
	Package Type PQFN
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.15mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 3.6W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 52nC
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6mm
	Height 0.9mm
	Width 4.75 mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFH5250TRPBF

The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Low RDSon (<1.15 mΩ)

Low Thermal Resistance to PCB (<0.8°C/W)

100% Rg tested

Low Profile (<0.9 mm)

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V Enhancement, 4-Pin PQFN IRFH5250TRPBF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง