Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 84 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF1010ESTRLPBF
- RS Stock No.:
- 222-4733
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF1010ESTRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB506.39
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB541.84
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 60 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | THB50.639 | THB506.39 |
| 20 - 90 | THB49.372 | THB493.72 |
| 100 - 240 | THB48.138 | THB481.38 |
| 250 - 490 | THB46.936 | THB469.36 |
| 500 + | THB45.762 | THB457.62 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4733
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF1010ESTRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 84A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 12mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 86.6nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 170W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 4.83mm | |
| Width | 9.65 mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Distrelec Product Id | 304-39-411 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 84A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 12mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 86.6nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 170W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 4.83mm | ||
Width 9.65 mm | ||
Length 10.67mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Distrelec Product Id 304-39-411 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.
Advanced process technology
Ultra-low on-resistance Fast switching
Lead-Free, RoHS Compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF1010EPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF1010EZPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS FD Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS FD Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB117N20NFDATMA1
- STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET 710 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET 710 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW88N65M5