Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 84 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
222-4732
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF1010ESTRLPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

84A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

12mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

86.6nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

170W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

4.83mm

Standards/Approvals

No

Width

9.65 mm

Length

10.67mm

Automotive Standard

No

The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Advanced process technology

Ultra-low on-resistance Fast switching

Lead-Free, RoHS Compliant

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง