Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 84 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF1010EZPBF

RS Stock No.:: 165-5778
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF1010EZPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 84 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF1010EZPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 100 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB1,865.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,995.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

600 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*	การประหยัด
50 - 50	THB37.30	THB1,865.00	-
100 - 150	THB36.181	THB1,809.05	2%
200 +	THB35.095	THB1,754.75	5%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 165-5778
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF1010EZPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	84A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	8.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	58nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	140W
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Width	4.83mm
	Length	10.67mm
	Height	16.51mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 84A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series HEXFET
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 8.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 58nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 140W
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Width 4.83mm
	Length 10.67mm
	Height 16.51mm
	Automotive Standard No

N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 84 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF1010EZPBF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง