Infineon OptiMOS FD Type N-Channel MOSFET, 84 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*

THB126,552.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB135,411.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
1000 - 1000THB126.552THB126,552.00
2000 - 3000THB122.755THB122,755.00
4000 +THB119.073THB119,073.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
166-0877
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPB117N20NFDATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

84A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

TO-263

Series

OptiMOS FD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

65nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

170°C

Length

10.31mm

Standards/Approvals

IEC61249-2-21, JEDEC, Pb-free lead plating, RoHS

Height

4.57mm

Automotive Standard

No

สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้

COO (Country of Origin):
MY

Infineon OptiMOS™ FD Power MOSFET


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง