Infineon OptiMOS FD Type N-Channel MOSFET, 84 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB117N20NFDATMA1
- RS Stock No.:
- 110-7458
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB117N20NFDATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 2 ชิ้น)*
THB484.38
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB518.28
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 2 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2 - 248 | THB242.19 | THB484.38 |
| 250 - 498 | THB236.135 | THB472.27 |
| 500 + | THB232.495 | THB464.99 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 110-7458
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB117N20NFDATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 84A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | OptiMOS FD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 11.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 65nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 300W | |
| Maximum Operating Temperature | 170°C | |
| Length | 10.31mm | |
| Width | 9.45 mm | |
| Standards/Approvals | IEC61249-2-21, JEDEC, Pb-free lead plating, RoHS | |
| Height | 4.57mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 84A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series OptiMOS FD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 11.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 65nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 300W | ||
Maximum Operating Temperature 170°C | ||
Length 10.31mm | ||
Width 9.45 mm | ||
Standards/Approvals IEC61249-2-21, JEDEC, Pb-free lead plating, RoHS | ||
Height 4.57mm | ||
Automotive Standard No | ||
สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้
Infineon OptiMOS™ FD Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS FD Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS FD Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS FD Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP220N25NFDAKSA1
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF1010ESTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF1010EPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF1010EZPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220