Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 250 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263

RS Stock No.:: 165-5484
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFS7437TRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 250 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*

THB27,156.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB29,057.60

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,400 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
800 - 800	THB33.946	THB27,156.80
1600 - 2400	THB32.927	THB26,341.60
3200 +	THB31.939	THB25,551.20

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 165-5484
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFS7437TRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	250A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	TO-263
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	230W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	150nC
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	9.65 mm
	Height	4.83mm
	Length	10.67mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 250A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type TO-263
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 230W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 150nC
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 9.65 mm
	Height 4.83mm
	Length 10.67mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้

COO (Country of Origin):: MX

Infineon HEXFET Series MOSFET, 250A Maximum Continuous Drain Current, 230W Maximum Power Dissipation - IRFS7437TRLPBF

This MOSFET is intended for high-performance applications that require efficient power management. It is utilised across various sectors and offers robust features suitable for challenging environments. Its Ability to manage high current and voltage levels makes it well-suited for Advanced technology applications.

Features & Benefits

• Supports a maximum continuous drain current of 250A for high-power applications

• Offers a maximum drain-source voltage of 40V, ensuring reliability in different setups

• Exhibits low Rds(on) of 1.4mΩ, contributing to reduced power losses

• Designed for surface mounting, simplifying installation

• Capable of handling Rapid switching applications, which enhances efficiency

Applications

• Suitable for brushed motor drive

• Ideal for battery-powered circuits, enabling efficient power usage

• Employed in half-bridge and full-bridge topologies for precise control

• Utilised in synchronous rectifier to enhance energy savings

• Applicable in resonant mode power supplies for stable performance

How is the power dissipation managed during operation?

Power dissipation is managed through a maximum rating of 230W, ensuring thermal stability under high load conditions.

What is the significance of the low Rds(on) value?

The low Rds(on) Value minimises energy loss during operation, improving efficiency in high-current applications.

Can this be used in high-temperature environments?

With an operating temperature range of -55°C to +175°C, it is suitable for diverse applications, including high-temperature environments.

What installation considerations should I be aware of?

Ensure proper thermal management as per specifications to maintain operational efficiency and reliability during intense applications.

Is it compatible with various power supply designs?

Yes, the MOSFET is versatile and can be integrated into numerous power supply designs, providing adaptability across different projects.