Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 250 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFS7437TRLPBF
- RS Stock No.:
- 165-5484
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFS7437TRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 1600 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB1,630.40
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*
THB27,156.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB29,057.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 1,600 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 800 - 800 | THB33.946 | THB27,156.80 | - |
| 1600 - 2400 | THB32.927 | THB26,341.60 | THB1,630.40 |
| 3200 + | THB31.939 | THB25,551.20 | THB6,422.40 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-5484
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFS7437TRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 250A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 150nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 230W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 9.65mm | |
| Height | 4.83mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 250A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 150nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 230W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 9.65mm | ||
Height 4.83mm | ||
Length 10.67mm | ||
Automotive Standard No | ||
สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้
- COO (Country of Origin):
- MX
Infineon HEXFET Series MOSFET, 250A Maximum Continuous Drain Current, 230W Maximum Power Dissipation - IRFS7437TRLPBF
Features & Benefits
Applications
How is the power dissipation managed during operation?
What is the significance of the low Rds(on) value?
Can this be used in high-temperature environments?
What installation considerations should I be aware of?
Is it compatible with various power supply designs?
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFS7437TRLPBF
- Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263 SQM40016EM_GE3
- Infineon IAUA N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-5 IAUA250N04S6N008AUMA1
- Infineon IAUA N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-5
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET & Diode 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 AUIRF1404STRL
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET & Diode 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 AUIRF2804STRL
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRLS3034TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 AUIRFS3004TRL
