Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60N10S4L12ATMA1

RS Stock No.:: 222-4669
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD60N10S4L12ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60N10S4L12ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB391.01

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB418.38

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

11,360 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 10	THB39.101	THB391.01
20 - 90	THB38.122	THB381.22
100 - 240	THB37.17	THB371.70
250 - 490	THB36.24	THB362.40
500 +	THB35.334	THB353.34

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 222-4669
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD60N10S4L12ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	OptiMOS
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	12mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	38nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd	94W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	6.22 mm
	Length	6.5mm
	Standards/Approvals	No
	Height	2.3mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series OptiMOS
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 12mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 38nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd 94W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 6.22 mm
	Length 6.5mm
	Standards/Approvals No
	Height 2.3mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPD60N10S4L12ATMA1

The Infineon design of MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Green Product (RoHS compliant)

MSL1 up to 260°C peak reflow AEC Q101 qualified

OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60N10S4L12ATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง