Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 40 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TSDSON
- RS Stock No.:
- 220-7463
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPZ40N04S5L4R8ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB58,935.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB63,060.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 10,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB11.787 | THB58,935.00 |
| 10000 - 15000 | THB11.433 | THB57,165.00 |
| 20000 + | THB11.09 | THB55,450.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 220-7463
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPZ40N04S5L4R8ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET & Diode | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TSDSON | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 48W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 1.05mm | |
| Length | 3.3mm | |
| Width | 3.3 mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET & Diode | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TSDSON | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 48W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 1.05mm | ||
Length 3.3mm | ||
Width 3.3 mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon offers a wide range of 20V-40V N-channel automotive qualified power MOSFETs using the new OptiMOS technology in a variety of packages to meet a range of needs and achieving RDS(on) down to 0.6mΩ.The new OptiMOS 6 and Optimos5 40V benchmark MOSFET technology enables low conduction losses (best in Class RDSon performance), low switching losses (improved switching behaviour), improved diode recovery and EMC behaviour. This MOSFET technology is used in the most advanced and innovative packages in order to reach the best product performances and quality. For ultimate design flexibility, automotive-qualified MOSFETs are available in a variety of packages to meet a range of needs. Infineon offer customers a steady stream of improvements in current capability, switching behaviour, reliability, package size and overall quality. The newly developed integrated half-bridge is an innovative and cost efficient package solution for motor drive and body applications.
OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications
N-channel - Enhancement mode - Logic Level
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 40 V Enhancement, 8-Pin TSDSON IPZ40N04S5L4R8ATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 60 V Enhancement, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 60 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ100N06NSATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ0904NSIATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ060NE2LSATMA1
