Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ0904NSIATMA1
- RS Stock No.:
- 825-9089
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ0904NSIATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 1260 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB802.62
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB509.66
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB545.34
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 4,940 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 20 - 1240 | THB25.483 | THB509.66 | - |
| 1260 - 2480 | THB24.846 | THB496.92 | THB802.62 |
| 2500 + | THB24.464 | THB489.28 | THB2,547.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 825-9089
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ0904NSIATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | TSDSON | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 560mV | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 37W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.4mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 3.4mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type TSDSON | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 560mV | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.5nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 37W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.4mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 3.4mm | ||
Height 1.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้
Infineon OptiMOS™ Power MOSFET Family
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ0904NSIATMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ060NE2LSATMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSC009NE2LSATMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ025N04LSATMA1
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ050N03LSGATMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET & Diode 40 V Enhancement, 8-Pin TSDSON IPZ40N04S5L4R8ATMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET & Diode 60 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ100N06NSATMA1
- Infineon OptiMOS-TM3 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ150N10LS3GATMA1
