Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 40 A, 25 V Enhancement, 8-Pin TSDSON

RS Stock No.:: 165-5979
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSZ060NE2LSATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 40 A, 25 V Enhancement, 8-Pin TSDSON

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB53,520.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB57,265.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

20,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
5000 - 5000	THB10.704	THB53,520.00
10000 - 15000	THB10.383	THB51,915.00
20000 +	THB10.071	THB50,355.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 165-5979
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSZ060NE2LSATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	25V
	Series	OptiMOS
	Package Type	TSDSON
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	8.1mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	26W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	0.87V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	9.1nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.4mm
	Width	3.4 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.1mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 25V
	Series OptiMOS
	Package Type TSDSON
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 8.1mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 26W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 0.87V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9.1nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.4mm
	Width 3.4 mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.1mm
	Automotive Standard No

สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้

COO (Country of Origin):: CN

Infineon OptiMOS™ Power MOSFET Family

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

N-channel - Enhancement mode

Automotive AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C Peak reflow

175°C operating temperature

Green package (lead free)

Ultra low Rds(on)

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 40 A, 25 V Enhancement, 8-Pin TSDSON

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Infineon OptiMOS™ Power MOSFET Family

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง