Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 126 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ025N04LSATMA1

RS Stock No.:: 214-8986
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSZ025N04LSATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 126 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ025N04LSATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 15 ชิ้น)*

THB632.625

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB676.905

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

4,920 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
15 - 1245	THB42.175	THB632.63
1260 - 2490	THB41.12	THB616.80
2505 +	THB40.487	THB607.31

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 214-8986
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSZ025N04LSATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	126A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	TSDSON
	Series	OptiMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	37nC
	Maximum Power Dissipation Pd	69W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5.35mm
	Width	6.1 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.2mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 126A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type TSDSON
	Series OptiMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC
	Maximum Power Dissipation Pd 69W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5.35mm
	Width 6.1 mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.2mm
	Automotive Standard No

Datasheet - BSZ025N04LSATMA1

The Infineon 40V and 60V product families feature not only the industry’s lowest R DS(on) but also a perfect switching behaviour for fast switching applications. 15% lower R DS(on) and 31% lower figure of merit (R DS(on) x Q g) compared to alternative devices has been realized by advanced thin wafer technology. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness.

100% avalanche tested

Superior thermal resistance

Optimized for synchronous rectification

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 126 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ025N04LSATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง