Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 126 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TSDSON

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB199,450.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB213,400.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
5000 - 5000THB39.89THB199,450.00
10000 - 15000THB38.693THB193,465.00
20000 +THB37.532THB187,660.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
214-8985
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSZ025N04LSATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

126A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TSDSON

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

37nC

Maximum Power Dissipation Pd

69W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.35mm

Standards/Approvals

No

Height

1.2mm

Width

6.1 mm

Automotive Standard

No

The Infineon 40V and 60V product families feature not only the industry’s lowest R DS(on) but also a perfect switching behaviour for fast switching applications. 15% lower R DS(on) and 31% lower figure of merit (R DS(on) x Q g) compared to alternative devices has been realized by advanced thin wafer technology. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness.

100% avalanche tested

Superior thermal resistance

Optimized for synchronous rectification

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง