Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET & Diode, 16 A, 650 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN60R600P7SATMA1
- RS Stock No.:
- 220-7436
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPN60R600P7SATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 6000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB1,986.00
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB33,090.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB35,400.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 13 สิงหาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB11.03 | THB33,090.00 | - |
| 6000 - 9000 | THB10.699 | THB32,097.00 | THB1,986.00 |
| 12000 + | THB10.378 | THB31,134.00 | THB7,824.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 220-7436
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPN60R600P7SATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET & Diode | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 16A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | CoolMOS P7 | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 600mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 9nC | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 900mV | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 7W | |
| Maximum Operating Temperature | +150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.7mm | |
| Height | 1.8mm | |
| Width | 3.7mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET & Diode | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 16A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series CoolMOS P7 | ||
Package Type SOT-223 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 600mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9nC | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 900mV | ||
Maximum Power Dissipation Pd 7W | ||
Maximum Operating Temperature +150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.7mm | ||
Height 1.8mm | ||
Width 3.7mm | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon CoolMOS P7 Series MOSFET & Diode, 650V Maximum Drain Source Voltage, 16A Maximum Continuous Drain Current - IPN60R600P7SATMA1
Features and Benefits:
• 16A continuous drain current supports sustained load operation
• 600mΩ Rds(on) minimises conduction losses during switching
• 9nC typical gate charge reduces drive energy requirements
• 7W maximum power dissipation allows significant thermal load handling
• 0.9V forward diode voltage lowers conduction drop in freewheeling use
Applications
• Ideal for switch-mode power converters requiring surface mount
• Used for synchronous rectification in mixed-topology designs
• Can be used for industrial motor drive intermediate stages
• Suitable for DC-DC converters with elevated operating temperatures
What gate voltage range is safe for driving the device?
What temperature extremes can it withstand during use?
How many pins does the package present for PCB layout?
What is the channel type and conduction mode of the transistor?
What mounting style is required for assembly onto a board?
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN60R600P7SATMA1
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN80R900P7ATMA1
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN80R4K5P7ATMA1
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN80R600P7ATMA1
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 950 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN95R1K2P7ATMA1
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN80R750P7ATMA1
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA60R120P7XKSA1
