Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET & Diode, 16 A, 650 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN60R600P7SATMA1
- RS Stock No.:
- 220-7436
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPN60R600P7SATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (3000 ชิ้น, ในม้วนขนาด 3000)*
THB33,090.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB35,400.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB11.03 | THB33,090.00 |
| 6000 - 9000 | THB10.699 | THB32,097.00 |
| 12000 + | THB10.378 | THB31,134.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 220-7436
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPN60R600P7SATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET & Diode | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 16A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Series | CoolMOS P7 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 600mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 9nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 7W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Operating Temperature | +150°C | |
| Length | 6.7mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 3.7mm | |
| Height | 1.8mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET & Diode | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 16A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Series CoolMOS P7 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 600mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 7W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Operating Temperature +150°C | ||
Length 6.7mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 3.7mm | ||
Height 1.8mm | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon CoolMOS P7 Series MOSFET & Diode, 650V Maximum Drain Source Voltage, 16A Maximum Continuous Drain Current - IPN60R600P7SATMA1
This MOSFET & diode module combines a high-voltage N-channel switching transistor with an integrated diode for use in power conversion and switching applications. It is designed for surface-mount assembly in a SOT-223 package and operates across a wide ambient range, supporting demanding thermal environments and continuous current delivery for industrial power stages and converters.
Features and Benefits:
• 650V drain rating enables high-voltage switching applications
• 16A continuous drain current supports sustained load operation
• 600mΩ Rds(on) minimises conduction losses during switching
• 9nC typical gate charge reduces drive energy requirements
• 7W maximum power dissipation allows significant thermal load handling
• 0.9V forward diode voltage lowers conduction drop in freewheeling use
• 16A continuous drain current supports sustained load operation
• 600mΩ Rds(on) minimises conduction losses during switching
• 9nC typical gate charge reduces drive energy requirements
• 7W maximum power dissipation allows significant thermal load handling
• 0.9V forward diode voltage lowers conduction drop in freewheeling use
Applications
• Suitable for high-voltage offline power supplies
• Ideal for switch-mode power converters requiring surface mount
• Used for synchronous rectification in mixed-topology designs
• Can be used for industrial motor drive intermediate stages
• Suitable for DC-DC converters with elevated operating temperatures
• Ideal for switch-mode power converters requiring surface mount
• Used for synchronous rectification in mixed-topology designs
• Can be used for industrial motor drive intermediate stages
• Suitable for DC-DC converters with elevated operating temperatures
What gate voltage range is safe for driving the device?
The device accepts up to 20V between gate and source for normal operation.
What temperature extremes can it withstand during use?
It is rated to operate from −40°C up to +150°C ambient.
How many pins does the package present for PCB layout?
The component is supplied with three electrical connections suitable for SOT-223 footprints.
What is the channel type and conduction mode of the transistor?
It uses an N-type channel and operates in enhancement mode.
What mounting style is required for assembly onto a board?
It is intended for surface-mount installation in a SOT-223 package.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN60R600P7SATMA1
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 950 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN80R900P7ATMA1
- Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN80R4K5P7ATMA1
