Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET & Diode, 57.2 A, 650 V Enhancement TO-263 IPB65R190CFDAATMA1
- RS Stock No.:
- 220-7393
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB65R190CFDAATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB261.18
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB279.46
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 826 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 248 | THB130.59 | THB261.18 |
| 250 - 498 | THB127.325 | THB254.65 |
| 500 + | THB125.37 | THB250.74 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 220-7393
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB65R190CFDAATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET & Diode | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 57.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | CoolMOS P7 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 190mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET & Diode | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 57.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series CoolMOS P7 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 190mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 650V Cool MOS CFDA Super junction (SJ) MOSFET is Infineon's second generation of market leading automotive qualified high voltage Cool MOS power MOSFETs. In addition to the well-known attributes of high quality and reliability required by the automotive industry, the 650V Cool MOS CFDA series provides also an integrated fast body diode.
First 650V automotive qualified technology with integrated fast body diode on the market
Limited voltage overshoot during hard commutation – self limiting di/dt and dv/dt
Low gate charge value Q g
Low Q rr at repetitive commutation on body diode & low Q oss
Reduced turn on and turn of delay times
Increased safety margin due to higher breakdown voltage
Reduced EMI appearance and easy to design in
Better light load efficiency
Lower switching losses
Higher switching frequency and/or higher duty cycle possible
High quality and reliability
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement TO-263
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R060P7ATMA1
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 5-Pin VSON
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 5-Pin VSON
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 5-Pin VSON IPL60R105P7AUMA1