Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET & Diode, 70 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70P04P4L08ATMA2

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB277.40

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB296.80

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 420 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
  • เพิ่มอีก 2,500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 620THB27.74THB277.40
630 - 1240THB27.046THB270.46
1250 +THB26.631THB266.31

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
220-7412
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPD70P04P4L08ATMA2
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET & Diode

Maximum Continuous Drain Current Id

70A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

OptiMOS

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

71nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

5 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

75W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

6.73mm

Width

6.22 mm

Height

2.41mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon offers a wide portfolio of P-channel automotive power MOSFET in DPAK, D2PAK, TO220, TO262 and SO8 package with the technology of OptiMOS -P2 and Gen5.

P-channel - Logic Level - Enhancement mode

No charge pump required for high side drive.

Simple interface drive circuit

World's lowest RDSon at 40V

Highest current capability

Lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง