Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET & Diode, 70 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70P04P4L08ATMA2
- RS Stock No.:
- 220-7410
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD70P04P4L08ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 5000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 3%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB54,875.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB58,725.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 2,500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 21 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB21.95 | THB54,875.00 | - |
| 5000 - 7500 | THB21.291 | THB53,227.50 | 3% |
| 10000 + | THB20.653 | THB51,632.50 | 5% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 220-7410
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD70P04P4L08ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET & Diode | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 70A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 75W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 71nC | |
| Forward Voltage Vf | -1.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 5V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 6.22mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Height | 2.41mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET & Diode | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 70A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 75W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 71nC | ||
Forward Voltage Vf -1.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 5V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 6.22mm | ||
Length 6.73mm | ||
Height 2.41mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS Series MOSFET & Diode, 40V Maximum Drain Source Voltage, 70A Maximum Continuous Drain Current - IPD70P04P4L08ATMA2
Features and Benefits:
• 7.8mΩ Rds(on) reduces conduction losses under high current
• 70A continuous drain current supports heavy load handling
• 75W maximum power dissipation allows sustained power delivery
• 71nC typical gate charge minimises switching energy losses
• AEC‑Q101 qualification meets automotive component stress standards
Applications
• Ideal for DC-DC converters in vehicle electronics
• Used with motor drive stages requiring fast recovery diode
• Can be used for load switches in battery management systems
• Suitable for high‑current power stages on surface‑mount boards
What gate voltage range is acceptable for control?
What thermal extremes can the device tolerate?
What package and mounting style does it use?
How many pins are available for PCB connection?
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET & Diode 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70P04P4L08ATMA2
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET & Diode 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90P03P4L04ATMA2
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD042P03L3GATMA1
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD25DP06NMATMA1
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD40DP06NMATMA1
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD900P06NMATMA1
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET -30 V Enhancement, 8-Pin PG-DSO-8 BSO301SPHXUMA1
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC060P03NS3EGATMA1
