Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET & Diode, 70 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 220-7410
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD70P04P4L08ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB63,057.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB67,472.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 2,500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB25.223 | THB63,057.50 |
| 5000 - 7500 | THB24.466 | THB61,165.00 |
| 10000 + | THB23.732 | THB59,330.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 220-7410
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD70P04P4L08ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET & Diode | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 70A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 5 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 75W | |
| Forward Voltage Vf | -1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 71nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 6.22 mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Height | 2.41mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET & Diode | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 70A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 5 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 75W | ||
Forward Voltage Vf -1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 71nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 6.22 mm | ||
Length 6.73mm | ||
Height 2.41mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon offers a wide portfolio of P-channel automotive power MOSFET in DPAK, D2PAK, TO220, TO262 and SO8 package with the technology of OptiMOS -P2 and Gen5.
P-channel - Logic Level - Enhancement mode
No charge pump required for high side drive.
Simple interface drive circuit
World's lowest RDSon at 40V
Highest current capability
Lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET & Diode 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70P04P4L08ATMA2
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET & Diode 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET & Diode 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90P03P4L04ATMA2
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD042P03L3GATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD30N06S4L23ATMA2
