Infineon 600V CoolMOS G7 SJ Type N-Channel MOSFET, 23 A, 600 V Enhancement, 8-Pin HSOF

RS Stock No.:: 214-4425
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPT60R102G7XTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon 600V CoolMOS G7 SJ Type N-Channel MOSFET, 23 A, 600 V Enhancement, 8-Pin HSOF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*

THB178,354.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB190,838.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 02 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2000 - 2000	THB89.177	THB178,354.00
4000 - 6000	THB86.502	THB173,004.00
8000 +	THB83.907	THB167,814.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 214-4425
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPT60R102G7XTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	23A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	600V CoolMOS G7 SJ
	Package Type	HSOF
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	102mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	141W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	34nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	10.58 mm
	Length	10.1mm
	Height	2.4mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 23A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series 600V CoolMOS G7 SJ
	Package Type HSOF
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 102mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 141W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 10.58 mm
	Length 10.1mm
	Height 2.4mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPT60R102G7XTMA1

This Infineon 600V Cool MOS G7 SJ MOSFET brings together the benefits of the improved 600V Cool MOS™ C7 Gold technology, 4pin Kelvin source capability and the improved thermal properties of the TO-Leadless (TOLL) package to enable a possible SMD solution for high current hard switching topologies such as power factor correction (PFC)

It enables best-in-class R DS(on) in smallest footprint

It has provided production cost reduction

Infineon 600V CoolMOS G7 SJ Type N-Channel MOSFET, 23 A, 600 V Enhancement, 8-Pin HSOF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง