STMicroelectronics SCTH70N 1 MOSFET, 90 A, 1200 V, 7-Pin H2PAK-7 SCTH70N120G2V-7
- RS Stock No.:
- 219-4224
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTH70N120G2V-7
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
- RS Stock No.:
- 219-4224
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTH70N120G2V-7
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 90A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | SCTH70N | |
| Package Type | H2PAK-7 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.21Ω | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 90A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series SCTH70N | ||
Package Type H2PAK-7 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.21Ω | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 2nd generation Sic MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Very high operating junction temperature capability (TJ = 175 °C)
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitances